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近日，国家知识产权局举行第二十三届中国专利奖颁奖活动，中国电科产业基础研究院的发明专利《一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法》获得中国专利银奖。

该项专利是化合物半导体材料制备的新方法新技术，聚焦高纯度低缺陷半导体材料领域，国际首次实现单晶生长与晶体合成一步完成，创造性地解决了磷化铟制备关键工艺难题，有力推动磷化铟材料在光通讯、毫米波、太赫兹等领域重大工程应用，为未来6G通信发展提供坚实支撑。